发明专利已授权

以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2、95Co0、05O12多铁薄膜及其制备方法

📄 申请号：CN201910460023.3 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2019-05-30

公开号

CN110078131B

公开日

2022-04-12

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G51_00

IPC 分类号

C01G51_00 , C04B41_89 ,

技术画像

所属领域

多铁材料多铁材料薄膜制备铁电材料磁电耦合

应用场景

信息存储器件; 自旋电子器件; 传感器; 微机电系统

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摘要

以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜，包括以下组分：Bi(NO3)2·5H2O、Co(NO3)2·6H2O、钛酸丁酯、乙二醇甲醚、乙酰丙酮；制备方法的步骤为：以Bi4Ti2.95Co0.05O12溶胶为前驱体，在以c轴取向LaNiO3为缓冲层的Si基底上制备Bi4Ti2.95Co0.05O12凝胶薄膜，随后经干燥、热处理，制备具有c轴取向性的Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜；具有优异的导电性、可取代铂和金等贵金属作为Bi4Ti2.95Co0.05O12薄膜电性能测试的底电极的特点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220412

✅ 授权

20190827

?? 实质审查的生效：

20190802

📄 公开

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