发明专利已授权

原位制备高能晶面择优金红石型二氧化钛薄膜的方法

📄 申请号：CN201911066665.1 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-11-04

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C18_12

IPC 分类号

C23C18_12

技术画像

所属领域

二氧化钛薄膜二氧化钛材料薄膜制备工艺光催化材料二氧化钛薄膜

应用场景

光催化降解污染物, 自清洁玻璃, 太阳能电池, 气体传感器, 紫外屏蔽涂层

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摘要

为解决骨-植入体在复杂应力环境下的界面可靠性问题，本发明提供了一种在钛/钛合金植入体上原位制备{001}高能晶面择优的金红石二氧化钛薄膜的方法。Ti-O薄膜与钛/钛合金基体有很好的结合力，因为高能晶面的曝露使其在体液中能有效诱导类骨磷灰石自发沉积（<24h），与周围骨组织可以实现分子水平的化学键合，实现连续的应力传递，可极大地提高植入体的生物活性，改善骨-植入体的界面有效性，本发明制备方法简单，原料成本低廉，所需设备简单，无需特殊装置。适用于不同大小、形状及结构的钛/钛合金基体，具有实用性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220111

✅ 授权

20200228

?? 实质审查的生效：

20200204

📄 公开

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