发明专利已授权

一种多孔四氧化三钴纳米片的制备方法

📄 申请号：CN201710838384.8 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2017-09-18

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G51_04

IPC 分类号

C01G51_04 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料多孔材料金属氧化物材料

应用场景

锂离子电池, 超级电容器, 电催化, 气体传感器, 储能器件

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摘要

本发明公开了一种多孔四氧化三钴纳米片，采用植物秸秆作为碳源，原料来源广泛且成本低廉；通过浸渍和二次焙烧的方法制备多孔四氧化三钴纳米片，制备所得多孔四氧化三钴纳米片由结晶良好的Co3O4纳米晶组成，Co3O4纳米晶的粒径在5‑20nm，纳米片具有较大的比表面积，丰富的孔隙结构。用于超级电容器中表现出高容量、长寿命的优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210511

✅ 授权

20190419

?? 实质审查的生效：

20190326

📄 公开

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