发明专利已授权

原位制备高能晶面曝露二氧化钛薄膜的方法

📄 申请号：CN201910949239.6 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-10-08

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G23_053

IPC 分类号

C01G23_053

技术画像

所属领域

二氧化钛薄膜二氧化钛薄膜纳米材料晶面控制技术

应用场景

光催化降解污染物, 空气净化, 污水处理, 自清洁材料, 光电化学器件

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摘要

原位制备高能晶面曝露二氧化钛薄膜的方法，获取基体，并将基体进行退火预处理，将退火后的基体清洗并晾干备用；配制反应前驱液，反应前驱液由钛源、氢氟酸和氧化硼均匀混合获得；将反应前驱液和基体同时放入不锈钢高压反应釜进行水热反应获得表面生长有二氧化钛薄膜的样品，取出后的样品在去离子水中超声清洗，在常温下晾干；将所得的样品在高温下去氟处理，并浸入水中冷却，最后晾干得到有高能{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的基体；本发明的目的在于提供一种能够在基体上原位生长出形貌均匀、晶型完好，{001}晶面曝露的锐钛矿型二氧化钛薄膜的方法。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220405

✅ 授权

20200204

?? 实质审查的生效：

20200107

📄 公开

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：16 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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