发明专利已授权

一种钒氧化物纳米片阵列及其制备方法、应用

📄 申请号：CN202210869146.4 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2022-07-22

公开号

CN115124080B

公开日

2024-05-10

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G31_02

IPC 分类号

C01G31_02 , H01M4_485 , H01M10_054 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料钒氧化物材料纳米阵列结构

应用场景

超级电容器, 锂离子电池, 电化学催化, 电致变色器件, 气体传感器

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摘要

本发明提供一种钒氧化物纳米片阵列及其制备方法、应用，所述制备方法包括将V2O5和还原剂于反应介质中发生还原反应，制得所述钒氧化物纳米片阵列。本发明通过将前驱体商业V2O5于温和的反应条件下还原制得钒氧化物纳米片阵列，同时改变其物相结构与微观形貌，整体提升了钒氧化物纳米片阵列的电化学性能；一步还原法工序简单，便于操作，易于产业化；采用本发明的制备方法得到的钒氧化物纳米片阵列具有较大的比表面积，层次分明且均一，材料结构稳定，具有优异的电化学性能，可作为正极活性材料应用在锌离子电池，可以与电解液更加充分地接触以提供更多的活性位点，同时，其较大的晶格间距可以存储更多的锌离子，从而整体提升其储锌性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

纳米金刚石/石墨烯复合竖立片层薄膜电极及其制备方法

当前第 / 件

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