发明专利 已授权

一种用于制备超冷原子的微型芯片及方法

📄 申请号:CN202410972218.7 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2024-07-19
公开号
CN118919122B
公开日
2025-09-30
申请人
浙江工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

量子计算, 量子模拟, 精密测量, 原子钟, 量子传感

摘要

本发明公开了一种用于制备超冷原子的微型芯片及方法,所述微型芯片包括芯片基底,所述芯片基底上设有氧化隔离层,氧化隔离层通过离子蒸发溅射设有导线刻蚀层,导线刻蚀层上通过光刻法刻有导线,导线设计为双U型导线和双H型导线,导线间的刻槽尺寸为15um。本发明通过芯片上双U型导线和双H型导线所产生的具有极强梯度的势阱场用于片上囚禁和操纵冷原子,一方面解决传统磁光阱中大型线圈和复杂光路对于小型化原子真空物理单元中光学系统及磁场线圈所带来的限制,另一方面其紧凑陡峭的势阱为进一步实现片上快速蒸发冷却制备超冷原子提供有效途径。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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