发明专利已授权

一种π-d共轭Ni-HITP MOF导电薄膜的制备方法及储能应用

📄 申请号：CN201910468620.0 📄 发布日：2026/07/28

著录项目信息

申请日

2019-05-31

公开号

CN110164717A

公开日

2019-08-23

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01G11_86

IPC 分类号

H01G11_86 , H01G11_30 , H01G11_24 ,

技术画像

所属领域

金属有机框架材料金属有机框架材料导电薄膜储能材料

应用场景

储能系统, 电化学储能, 超级电容器

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摘要

本发明公开了一种π-d共轭Ni-HITP MOF柔性透明电极的制备方法及储能应用，本发明中直接选择ITO/PET柔性透明材料作为结合π-d共轭Ni-HITP MOF导电薄膜的基底，采用低成本、低能耗、工艺简单的气液界面法来制备Ni-HITP MOF导电薄膜，通过L-S法将薄膜转移到基底上制备出Ni-HITP/ITO/PET柔性透明电极，整个制备过程的步骤简便，所需条件低，操作简单，耗时短；制备除的柔性透明电极的光学透光性良好且电化学储能性质优异。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种镂空型的上下层耦合型类电磁诱导透明

当前第 / 件

一种精确测量磁芯损耗的方法

同领域国内专利 · IPC: (H01G11_86)

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