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发明专利
已授权
外延片及其制造方法以及电化学传感器
📄 申请号:CN201910380888.9
📄 发布日:2026/07/28
著录项目信息
申请日
2019-05-08
公开号
CN111912886B
公开日
2022-01-11
申请人
华南师范大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G01N27_30
IPC 分类号
G01N27_30
技术画像
所属领域
半导体外延技术
半导体外延技术
电化学传感器
半导体器件
应用场景
生物检测, 医疗诊断, 环境监测, 工业过程监测, 食品安全检测
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摘要
本申请提供了一种外延片及其制造方法以及电化学传感器,其中外延片包括:衬底;InGaN层片,形成于所述衬底的一侧表面,其In含量在20%和60%之间,以确保从带负电的表面态到带正电的表面态的转变发生在组成范围内;InN层片,形成于所述InGaN层片的背朝所述衬底的一侧表面上,以用作所述InGaN层片的表面电荷的稳定层。In含量在20%和60%之间的InGaN层片允许产生独立于待测溶液浓度的电化学响应;另外,高密度本征带正电表面态的InN层片进一步提高了本实施例参比电极的电化学稳定性,InGaN层片和InN层片的结合进一步使得应用本申请外延片的参比电极能够具有稳定电化学响应。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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