发明专利已授权

一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法

Name: 一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法
Brand: 西安工业大学
SKU: 2014100365481
Availability: InStock

📄 申请号：CN201410036548.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2014-01-26

公开号

CN103771491A

公开日

2014-05-07

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G9_02

IPC 分类号

C01G9_02 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料半导体材料掺杂改性

应用场景

光电器件, 气体传感器, 紫外探测器, 透明导电材料, 光催化

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摘要

本发明涉及一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法。目前的单元素掺杂ZnO纳米带存在着灵敏度不够高，制备时需要金属催化剂，原料成本高且会造成污染，需要高温进行操作，能耗高，安全性差的问题。本发明提供ZnO纳米带的制备方法，将Zn粉、Ga2O3粉和Sn粉按照1:0.05:0.05的摩尔比在研钵中研磨，混合均匀后放置在氧化铝小料舟内，将其送入高温水平管式炉中，而后将刚玉管内抽真空至1-10Pa，通入纯Ar使环境压力维持在4.0×102Pa；将炉体升温到800-1000℃后将Ar关闭，通入O2将环境压力维持在1-10×102Pa，保温后将系统关闭，冷却后乳白色奶油状沉积物即为所需的ZnO纳米带。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20160608

✅ 授权

20151118

?? 实质审查的生效：

20140507

📄 公开

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