发明专利已授权

一种超低介电损耗的KNN基储能微晶玻璃材料及制备方法

📄 申请号：CN201710010856.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-01-06

公开号

CN106865989A

公开日

2017-06-20

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C03C10_02

IPC 分类号

C03C10_02 , C03C6_04 , C03C4_16 ,

技术画像

所属领域

微晶玻璃材料微晶玻璃材料储能电介质材料铌酸钾钠基功能陶瓷

应用场景

储能电容器, 脉冲功率电容器, 电子元器件, 电力储能系统

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摘要

本发明涉及一种超低介电损耗的KNN基储能微晶玻璃材料及制备方法，该微晶玻璃材料是由玻璃相和晶相经混合、熔融、冷却成型、退火及晶化热处理制得的；其中，按摩尔百分数计，玻璃相占20～50％，余量为晶相；晶相是由摩尔比为(3‑x)：(3‑x)：6：2x的K2CO3、Na2CO3、Nb2O5和BaCO3组成的，0＜x≤2.5。本发明制得的KNN基储能微晶玻璃材料介电损耗极低；本发明引入BaO，不仅对铌酸钾钠系统调节晶相组成，并且对于析晶过程有一定的促进作用，碱土金属离子，加速析晶，又能引起钉扎效应，削弱界面极化对击穿恶化的不利影响，最终得到高介电常数微晶玻璃材料。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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当前第 / 件

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