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发明专利
已授权
一种ZnO纳米墙RGO异质结光电气敏传感器及其制备方法
📄 申请号:CN201710164282.2
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2017-03-20
公开号
CN106932442B
公开日
2019-02-22
申请人
西安工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G01N27_04
IPC 分类号
G01N27_04
技术画像
所属领域
气敏传感器
气体传感器
纳米材料
半导体异质结
气敏传感器
应用场景
气体检测, 环境监测, 工业安全, 物联网, 智能家居
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摘要
本发明涉及光敏探测器制备方法技术领域,具体涉及一种ZnO纳米墙RGO异质结光电气敏传感器及其制备方法。本发明采用以下步骤:1)多孔还原石墨烯的制备;2)在RGO表面原位生长ZnO种子层;3)在RGO表面原位生长ZnO纳米墙;4)老化制得成品实现其技术方案以克服现有技术中常温条件下光敏性及NO2灵敏度低的问题。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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当前第 / 件
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