发明专利已授权

一种基于光子结构种子层的ZnO纳米柱及制备方法

📄 申请号：CN201811314233.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-11-06

公开号

CN109534285A

公开日

2019-03-29

申请人

浙江海洋大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B82B1_00

IPC 分类号

B82B1_00 , B82B3_00 , B82Y10_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料半导体材料光子晶体结构

应用场景

光电器件, 光电探测器, 发光二极管, 太阳能电池, 紫外传感器

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摘要

一种基于光子结构种子层的ZnO纳米柱及制备方法，所述的ZnO纳米柱由衬底、种子层、ZnO纳米柱组成，所述的种子层是由PEDOT:PSS和ZnO薄膜周期性交叠构成；所述的制备方法包括以下步骤：a.配制ZnO种子层前驱液；b.配制ZnO纳米柱生长液；c.制备种子层：d.制备ZnO纳米柱：在反应容器中添加上述配制得到的ZnO纳米柱生长液，然后将带有种子层的衬底浸入生长液，密封，经水热反应、干燥后得到ZnO纳米柱；它具有成本低，溶液组分易调控，可重复性强，能够制备得到高质量的ZnO纳米柱，避免纳米柱出现裂纹、翘曲、脱落等问题，提高器件性能并延长器件使用寿命等特点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

对气相丙酮及过氧化爆炸物有传感功能的荧光化合物及荧光传感薄膜的制备方法和应用

当前第 / 件

壳层组分、厚度可调控的Pd@Pt-Ni核@壳纳米材料及其制备方法与应用

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