发明专利已授权

一种磁传感器噪声测试系统标定方法

📄 申请号：CN202010019311.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-01-08

公开号

CN111198348A

公开日

2020-05-26

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01R35_00

IPC 分类号

G01R35_00

技术画像

所属领域

磁传感器传感器测试标定方法噪声测量噪声测试磁传感器

应用场景

工业自动化, 传感器制造, 质量检测, 科研实验

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摘要

本发明公开了一种磁传感器噪声测试系统标定方法，该方法包括如下步骤：第一步，采集噪声测试系统自有噪声；第二步，采集金属膜电阻热噪声和噪声测试系统自有噪声叠加在一起的总噪声；第三步，获得金属膜电阻热噪声的工程推算值；第四步，获得最接近金属膜电阻热噪声理论值的工程推算值；第五步，提取金属膜电阻热噪声的噪声频谱；第六步，确定第四步和第五步中噪声测试系统的工作参数，标定完成。本发明提出的一种磁传感器噪声测试系统标定方法能够发挥噪声测试系统的最佳性能，大大提高磁传感器噪声测试结果的准确度，为磁传感器在施加偏置电压和激励磁场的条件下进行的噪声测试提供了有效参考。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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