发明专利已授权

一种超低功耗、高直流偏置磁芯及其制备方法、应用

📄 申请号：CN202011343359.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-11-25

公开号

CN112509792A

公开日

2021-03-16

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01F27_255

IPC 分类号

H01F27_255 , H01F27_34 , H01F41_02 ,

技术画像

所属领域

磁性材料磁性材料软磁材料电子元器件

应用场景

电力电子, 开关电源, 变压器, 电感器, 通信设备

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摘要

本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种超低功耗、高直流偏置磁芯，包括非磁性绝缘基体和分散于非磁性绝缘基体中的磁性纳米颗粒。本发明的超低功耗、高直流偏置磁芯，由磁性纳米颗粒分散在非磁性绝缘基体中形成；非磁性绝缘基体能有效阻止电子传导，显著降低涡流损耗；同时超顺磁性纳米粒颗具有线性磁化曲线，具有优异的抗直流偏置特性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

土曲霉酮的制备方法及其作为抗肿瘤药物的应用

当前第 / 件

一种双子两性羧酸盐粘弹性表面活性剂及其合成方法

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