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低介电损耗高储能密度的结构紧密的硼酸盐玻璃陶瓷、制备方法及应用

📄 申请号：CN202110102830.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-01-26

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C03C10_00

IPC 分类号

C03C10_00 , C03B32_02 , C03B25_00 , C03B19_02 , C03B5_16 , C03B1_00 ,

技术画像

所属领域

硼酸盐玻璃玻璃陶瓷介电材料储能材料硼酸盐玻璃

应用场景

储能电容器, 电子器件, 微波介质材料, 高频电路基板

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摘要

一种低介电损耗高储能密度的结构紧密的硼酸盐玻璃陶瓷材料，该材料的制备方法为：首先采用了K2CO3、Na2CO3、Nb2O5及H3BO3为原料，按化学式1‑x(K2O‑Na2O‑2Nb2O5)‑xB2O3(0.10≤x≤0.30)配比取料，粉体通过机械球磨混合均匀，退火；经过熔融、冷却成型和退火得到玻璃块体，并通过在800℃保温2h晶化处理制得玻璃陶瓷材料。本发明制备工艺简单，原料价格低廉，制作成本低，室温能够获得线性的电滞回线，储能密度最高达到2.65J/cm3，介电损耗低于0.04，在200℃高温下保证储能效率在96％以上。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种金属材料的高温拉伸测试及高温流变损伤模型构建方法

当前第 / 件

含Na0.9K0.1NbO3晶相的高介电硼酸盐玻璃陶瓷及其制备和应用

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