发明专利已授权

聚乙二醇修饰的大位阻咪唑鎓基阴离子交换膜的制备方法

📄 申请号：CN202111499986.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-12-09

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C08G81_00

IPC 分类号

C08G81_00 , C08J5_22 , C08L87_00 , H01M8_103 , H01M8_1069 ,

技术画像

所属领域

阴离子交换膜阴离子交换膜功能高分子材料离子交换膜

应用场景

燃料电池, 电解水制氢, 电渗析, 水处理, 氯碱工业

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摘要

本发明公开了聚乙二醇修饰的大位阻咪唑鎓基阴离子交换膜的制备方法，阴离子交换膜由以聚乙二醇单甲醚修饰的大空间位阻咪唑鎓基化合物组成；制备方法：步骤1：碘基取代的聚乙二醇单甲醚化合物的制备；步骤2：2‑均三甲基苯‑4，5‑二苯基‑1H‑咪唑化合物的合成；步骤3：2‑均三甲基苯‑4,5‑二苯基‑1‑聚乙二醇单甲醚‑咪唑化合物的制备；步骤4：聚乙二醇单甲醚修饰的大空间位阻咪唑鎓基共聚物的合成；步骤5：阴离子交换膜的制备。本发明所制备的阴离子交换膜，在一定程度上抵消大位阻空间取代基对聚合物链缠结的破坏，提高了大空间位阻咪唑鎓基聚合物膜的水合性能和导电率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230324

✅ 授权

20220506

?? 实质审查的生效：

20220419

📄 公开

大空间位阻侧链型聚烯烃基阴离子交换膜的制备方法

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