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发明专利
已授权
二氧化锰电极及其制备方法和应用
📄 申请号:CN202210678291.4
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2022-06-16
公开号
CN115036142B
公开日
2023-05-02
申请人
成都信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01G11_26
IPC 分类号
H01G11_26
,
H01G11_30
,
H01G11_46
,
H01G11_86
,
技术画像
所属领域
电极材料
电极材料
电化学储能
锰基材料
应用场景
储能电池, 超级电容器, 水系电池, 锌离子电池, 电化学储能
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摘要
本发明属于储能元件技术领域,公开了二氧化锰电极及其制备方法和应用。本发明以三维泡沫镍作为基底在NiSO4,Na2SO4混合溶液进行电还原,构筑了具有纳米核状结构的泡沫镍上还原镍基底(rNi Base)。随后再将rNi Base作为基底,在Na+,K+,NH4+三种不同一价阳离子预插层处理条件下分别电沉积二氧化锰,最终得到了具有特殊纳米菜花状结构的rNi/MnO2&Na+电极,该电极特殊的纳米结构提升了其电化学性能。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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