发明专利 已授权

一种基于碳布生长的银@二氧化锰核壳复合电极材料的制备方法和应用

📄 申请号:CN202211097921.5 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2022-09-08
公开号
CN116153675A
公开日
2023-05-23
申请人
哈尔滨学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

超级电容器, 锂离子电池, 电化学储能, 柔性电子器件, 可穿戴设备

摘要

一种基于碳布生长的银@二氧化锰核壳复合电极材料的制备方法和应用,它涉及一种电极材料的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有作为超级电容器的材料价格昂贵和二氧化锰的导电性弱,作为超级电容器材料存在电化学性能差的问题。方法:一、碳布前处理;二、碳布上生长Ag纳米线;三、在碳布上生长Ag@MnO2核壳复合电极材料。一种基于碳布生长的银@二氧化锰核壳复合电极材料作为超级电容器的电极材料使用。本发明制备的基于碳布生长的银@二氧化锰核壳复合电极材料改善了材料的导电性,使氧化锰的赝电容得到充分的发挥,从而大幅提高复合材料的电化学性能,具有广阔应用前景。

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