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一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法

Name: 一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法
Brand: 浙江理工大学
SKU: 2020112678641
Availability: InStock

📄 申请号：CN202011267864.1 📄 发布日：2026/06/16

著录项目信息

申请日

2020-11-13

公开号

CN112331809B

公开日

2024-03-19

申请人

浙江理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10K71_12

IPC 分类号

H10K71_12 , H10K71_15 , H10K71_16 ,

技术画像

所属领域

碳量子点碳量子点发光二极管纳米光电材料

应用场景

显示技术, LED照明, 光电器件, 可见光通信

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摘要

本发明涉及显示器件领域，公开了一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法，本发明以3,4‑二羟基苯甲酸为原料，采用水热法，制备绿色荧光CQDs，将CQDs作为客体，氨丙基聚二甲基硅氧烷作为主体，利用主客体掺杂技术制备发光层，制备QLED。使得发光层薄膜中CQDs的分散性得到提高可以应用于QLED，能够抑制器件的发光猝灭。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN112331809B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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