发明专利已授权

一种交错氧化亚铜微米立方体的电化学制备方法

📄 申请号：CN202411985198.3 📄 发布日：2026/06/12

著录项目信息

申请日

2024-12-31

公开号

CN119776940B

公开日

2025-11-14

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C25D9_04

IPC 分类号

C25D9_04 , C25B1_01 , C25B1_50 , H01G11_22 , H01G11_30 , H01G11_86 ,

技术画像

所属领域

电化学制备技术电化学制备技术微纳米材料半导体材料

应用场景

光催化, 光电催化, 太阳能电池, 气敏传感器, 抗菌材料

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摘要

本发明公开了一种交错氧化亚铜微米立方体的电化学制备方法，属于电极材料制备技术领域。该方法以室温下的氧化还原反应为主要合成机理，清洁的泡沫铜为铜源，在碱性溶液和过硫酸盐的混合溶液中反应一定时间，对泡沫铜中间体依次进行清洗、真空干燥、煅烧处理。随后在三电极体系中，以处理得到的泡沫铜为工作电极，在亚硒酸溶液中对其进行电化学处理，制备出高结晶性氧化亚铜材料，该材料呈现出交错的微米立方体形貌，立方体表面光滑平整。并将其应用于储能领域，在大电流密度下仍可实现高面积比容量，最高面积比容量为1556mF/cm2。本发明简单易操作、制备周期短、节能、高效、廉价。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

一种面向半波长输电线路的高分辨率故障测距方法

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