发明专利已授权

氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料及其制备方法

📄 申请号：CN201610951003.2 📄 发布日：2026/06/08

著录项目信息

申请日

2016-11-03

公开号

CN106449173B

公开日

2018-04-03

申请人

苏州科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01G11_86

IPC 分类号

H01G11_86 , H01G11_24 , H01G11_30 , H01G11_36 , H01G11_44 , H01G11_46 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

量子点电极材料石墨烯复合材料纳米材料量子点

应用场景

超级电容器, 储能系统, 新能源汽车, 消费电子, 智能电网

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摘要

本发明提供了氧化钴量子点‑仿生石墨烯高储能电极材料及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将洗净植物茎秆加入含乙醇的酸性混合液中浸泡；然后浸渍于葡萄糖溶液中，置于含铈盐和钴盐的水溶液中，磁力搅拌，洗净并烘干；在氮气保护下进行高温热处理；随炉冷却；转移至反应釜进行水热反应，洗涤并干燥，即得。本发明通过合成具有高比表面积的氧化钴量子点材料和具有高电导率的分级多孔结构的石墨烯相结合，并以氧化铈纳米量子点作为稳定剂，制备高能量密度电极材料。本发明所需化学原料种类较少且无毒性，工艺简单，反应无需复杂的设备，成本较低，对环境无污染，实验可重复性好，有较大的工业推广价值。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

二氧化锰包覆碳硫复合材料及其制备方法、锂硫电池

当前第 / 件

以植物膜层制备高品质石墨烯及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01G11_86)

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