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发明专利
已授权
一种以双三氟甲基磺酰基亚胺钠钝化钙钛矿太阳能电池界面缺陷的方法
📄 申请号:CN202110387448.3
📄 发布日:2026/05/13
著录项目信息
申请日
2021-04-08
公开号
CN113113541B
公开日
2023-06-06
申请人
华侨大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H10K30_88
IPC 分类号
H10K30_88
,
H10K30_15
,
H10K71_12
,
H10K71_40
,
技术画像
所属领域
钙钛矿太阳能电池
钙钛矿太阳能电池
界面缺陷钝化
钙钛矿光电材料
应用场景
光伏发电, 钙钛矿太阳能电池制造, 新能源器件, 光伏产业
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摘要
本发明公开了一种以双三氟甲基磺酰基亚胺钠钝化钙钛矿太阳能电池界面缺陷的方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域,包括以下步骤:S1、对刻蚀后的FTO导电玻璃进行清洗,S2、将TiO2量子点溶液均匀铺展在FTO导电玻璃表面,制备成电子传输层,将旋涂好的薄膜转移至马弗炉中在450℃下烧结30min,S3、冷却至室温,在TiO2薄膜上旋涂NaTFSI乙腈溶液。本发明中,采用溶液旋涂法在平面TiO2薄膜上制备一层NaTFSI,用来修饰电子传输层与钙钛矿之间的界面,并将其组装成PSCs,NaTFSI修饰层不仅可以提高钙钛矿薄膜的结晶性,降低钙钛矿薄膜的非辐射复合损失,而且还能优化ETL表面的能级结构,使其与钙钛矿的能级更加匹配,从而加速电子在界面间的提取和传输效率。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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