发明专利 已授权

一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用

📄 申请号:CN202111223023.5 📄 发布日:2026/07/06

著录项目信息

申请日
2021-10-20
公开号
CN113981482B
公开日
2023-04-11
申请人
江西师范大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电解水制氢, 电催化析氢, 电催化析氧, 能源转换, 电化学传感

摘要

本发明涉及纳米材料制备和应用领域,具体涉及一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用。该纳米片阵列的制备方法简单,只需要水热反应结合后续磷化处理即可。该钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列包括泡沫镍基底和纳米片,所述纳米片以阵列形式近似垂直生长在泡沫镍基底上,纳米片的横向尺寸为0.5~2μm,厚度为5~20 nm;纳米片具有丰富的介孔,介孔的尺寸为2~5 nm。得益于其独特的二维介孔结构和均匀的钴元素掺杂,这种纳米片阵列在电催化HER、OER和全解水方面均具有优异的性能,优于目前报道的其它Cu3P基纳米材料。

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