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纳米级气敏传感器的形成方法

Name: 纳米级气敏传感器的形成方法
Brand: 江西师范大学
SKU: 2017111277577
Availability: InStock

📄 申请号：CN201711127757.7 📄 发布日：2026/04/21

著录项目信息

申请日

2017-11-15

公开号

CN107941861B

公开日

2020-04-24

申请人

江西师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01N27_12

IPC 分类号

G01N27_12 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

气敏传感器传感器技术纳米材料半导体工艺气敏传感器

应用场景

环境监测, 工业安全, 智能家居, 医疗诊断, 汽车电子

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摘要

本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法，包括：对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；形成开口；在开口内填充第四介质层；侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层；形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层。本申请的形成方法与集成电路工艺兼容。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN107941861B

购买这项专利需要经过哪些流程？

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该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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