发明专利 已授权

一种双金属配位的聚吡咯/氧化石墨烯复合纳米片及其制备方法和在超级电容器中的应用

📄 申请号:CN202310171387.6 📄 发布日:2026/04/08

著录项目信息

申请日
2023-02-28
公开号
CN116313549B
公开日
2025-11-14
申请人
辽宁大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

超级电容器, 储能系统, 新能源汽车, 便携电子设备

摘要

本发明公开了一种双金属配位的聚吡咯/氧化石墨烯复合纳米片及其制备方法和在超级电容器中的应用。所述的复合纳米片是是由两种Co2+、Ru3+过渡金属离子与2‑甲基咪唑配位在相同配体修饰的聚吡咯/氧化石墨烯表面原位生长而形成的得到的Co2+‑Ru3+/(2‑MeIm)x@PPy/GO纳米片。基于Co2+‑Ru3+/(2‑MeIm)x@PPy/GO纳米片的修饰电极,该电极材料因其独特的层状结构与均匀的金属负载,具有较大的比表面积和导电性能,提高超级电容器的器件稳定性。应用于超级电容器中表现出高比电容、稳定循环性等良好的电化学储能效果,在储能器件领域有着光明的应用前景。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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