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发明专利
已授权
一种双金属配位的聚吡咯/氧化石墨烯复合纳米片及其制备方法和在超级电容器中的应用
📄 申请号:CN202310171387.6
📄 发布日:2026/04/08
著录项目信息
申请日
2023-02-28
公开号
CN116313549B
公开日
2025-11-14
申请人
辽宁大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01G11_36
IPC 分类号
H01G11_36
,
H01G11_48
,
H01G11_46
,
H01G11_86
,
技术画像
所属领域
超级电容器
新型复合材料
导电聚合物
纳米材料
超级电容器
应用场景
超级电容器, 储能系统, 新能源汽车, 便携电子设备
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摘要
本发明公开了一种双金属配位的聚吡咯/氧化石墨烯复合纳米片及其制备方法和在超级电容器中的应用。所述的复合纳米片是是由两种Co2+、Ru3+过渡金属离子与2‑甲基咪唑配位在相同配体修饰的聚吡咯/氧化石墨烯表面原位生长而形成的得到的Co2+‑Ru3+/(2‑MeIm)x@PPy/GO纳米片。基于Co2+‑Ru3+/(2‑MeIm)x@PPy/GO纳米片的修饰电极,该电极材料因其独特的层状结构与均匀的金属负载,具有较大的比表面积和导电性能,提高超级电容器的器件稳定性。应用于超级电容器中表现出高比电容、稳定循环性等良好的电化学储能效果,在储能器件领域有着光明的应用前景。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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未申报
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