发明专利已授权

一种利用LRH的煅烧记忆性制备片状稀土氧化物薄膜的方法

📄 申请号：CN201710930982.8 📄 发布日：2026/03/06

著录项目信息

申请日

2017-10-09

公开号

CN107829120A

公开日

2018-03-23

申请人

桂林理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C25D9_08

IPC 分类号

C25D9_08 , C01F17_00 ,

技术画像

所属领域

稀土氧化物薄膜稀土氧化物薄膜层状稀土氢氧化物薄膜制备工艺

应用场景

光电器件, 催化材料, 传感器, 显示技术, 功能涂层

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摘要

本发明公开了一种利用LRH的煅烧记忆性制备片状稀土氧化物薄膜的方法。将La(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O或者Gd(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O或者Y(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005～0.5mol/L的溶液，加入添加剂，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在工作电极上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，制得LRH薄膜；最后将LRH薄膜置于通有氮气的管式炉中进行热处理，最终获得相应片状稀土氧化物薄膜。本发明操作简单，极大地简化了薄膜制备方法，同时利用LRH的煅烧记忆性获得二维形貌的稀土氧化物薄膜，并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种稀土三氟化物NaLnF4薄膜及其制备方法

当前第 / 件

一种稀土层状氢氧化物薄膜的直接制备方法

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