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发明专利
已授权
一种H-3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法
📄 申请号:CN201811269908.7
📄 发布日:2026/06/04
著录项目信息
申请日
2018-10-29
申请人
南京绿能芯耀科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G21H1_06
IPC 分类号
G21H1_06
技术画像
所属领域
同位素电池
同位素电池
碳化硅半导体器件
PN结器件
应用场景
航天电源, 深海探测电源, 微型能源系统, 植入式医疗设备供电, 无线传感器网络供电
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摘要
本发明公开了一种H‑3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法,该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极,N型高掺杂SiC衬底,N型SiC外延层,P型SiC外延层,在P型SiC外延层上部的部分区域设有P型SiC欧姆接触掺杂层,在P型SiC欧姆接触掺杂层的顶部设有P型欧姆接触电极,在P型SiC外延层上部除去P型欧姆接触掺杂区以外的区域设有SiO2钝化层,在SiO2钝化层的上方设有H‑3放射性同位素源。本发明设计新颖合理,可以有效解决H‑3在表面的辐照生载流子复合损耗问题,有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20210423
?? 专利权的转移 :
20200630
✅ 授权
20191210
?? 实质审查的生效 :
20191115
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