发明专利已授权

一维超长 TiO2 纳米棒阵列及其制备方法和在染料敏化太阳能电池中的应用

📄 申请号：CN201910266464.X 📄 发布日：2026/05/08

著录项目信息

申请日

2019-04-03

公开号

CN109920649B

公开日

2020-11-13

申请人

湖北大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01G9_20

IPC 分类号

H01G9_20 , H01G9_042 , C01G23_053 , B82Y40_00 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料染料敏化太阳能电池半导体材料

应用场景

太阳能电池, 光伏发电, 光电转换, 新能源电池, 纳米材料应用

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摘要

本发明公开了一维超长TiO2纳米棒阵列及其制备方法和在染料敏化太阳能电池中的应用。本发明采用支架法固定多片导电基底在一个反应釜量产多片高度均一的TiO2纳米棒阵列，结合马弗炉程控重结晶退火有效解决了一维TiO2纳米棒阵列易与导电基底脱落和不易水热量产的难题，同时结合支架法对所得TiO2纳米棒阵列进行水热刻蚀，有效解决了一维TiO2纳米棒阵列比表面积小和染料吸附量不足等问题。本发明获得的TiO2纳米棒阵列表现出优异的电子传输能力和染料吸附能力，将其应用在染料敏化太阳能电池中获得了11.14％的光电转化效率，为稳定量产制备基于一维TiO2纳米棒阵列光阳极的高效率染料敏化太阳能电池提供了可能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种GaOOH,Zn2+一维纳米材料的制备方法

当前第 / 件

一种城市计算环境下的车辆计箕资源分配方法

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