发明专利已授权

一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202110170558.4 📄 发布日：2026/01/06

著录项目信息

申请日

2021-02-08

公开号

CN112897478B

公开日

2022-02-22

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01B19_04

IPC 分类号

C01B19_04 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料半导体材料金属硒化物材料

应用场景

光电器件, 光电探测, 热电转换, 半导体器件, 新能源材料

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摘要

本发明公开了一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用。所述制备方法，包括如下步骤：S1.在管式炉中，将硒源加热到220～360℃，将铟源加热到400～630℃；所述硒源为硒粉，所述铟源为负载氧化铟的衬底；S2.密封管式炉腔体并抽真空后，以流量为20～80sccm的氩气为载气，将管式炉腔体压强恢复至常压，再升温至900～980℃后，经过沉积、降温，得到所述三硒化二铟纳米带。本发明通过选择合适的硒源和铟源，通过化学气相沉积方法，在无催化剂辅助作用的情况下，在管式炉中制备得到了纳米带形貌的三硒化二铟材料。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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