发明专利 已授权

一种铜基卤化物发光二极管及制备方法

📄 申请号:CN202510791791.2 📄 发布日:2026/08/10

著录项目信息

申请日
2025-06-13
公开号
CN120322136A
公开日
2025-07-15
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

所属领域

应用场景

显示技术, 照明设备, 光通信, 智能终端, 汽车照明

摘要

本发明提供了一种铜基卤化物发光二极管及制备方法,所述方法包括:步骤1,制备碱金属硫氰酸盐溶液;步骤2,制备改性的空穴注入层溶液;步骤3,制备结晶辅助剂;步骤4,制备铜基卤化物前驱体溶液;步骤5,混合结晶辅助剂和铜基卤化物前驱体溶液;步骤6,制备铜基卤化物发光二极管器件。本发明可以显著提高发光二极管器件空穴注入能力,促进电荷平衡,大幅提升器件亮度和外量子效率;硫氰酸根和Cu离子相互作用,提高铜基卤化物结晶质量,从而提高薄膜均匀性;同时硫氰酸根可以提高铜基卤化物中卤素空位的形成能,从而钝化卤素空位缺陷,抑制卤素离子的迁移。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H10K71_12)

议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:20 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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