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发明专利
已授权
一种铜基卤化物发光二极管及制备方法
📄 申请号:CN202510791791.2
📄 发布日:2026/08/10
著录项目信息
申请日
2025-06-13
公开号
CN120322136A
公开日
2025-07-15
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H10K71_12
IPC 分类号
H10K71_12
,
H10K71_15
,
H10K71_16
,
H10K50_11
,
H10K50_165
,
技术画像
所属领域
其他分类
其他
应用场景
显示技术, 照明设备, 光通信, 智能终端, 汽车照明
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摘要
本发明提供了一种铜基卤化物发光二极管及制备方法,所述方法包括:步骤1,制备碱金属硫氰酸盐溶液;步骤2,制备改性的空穴注入层溶液;步骤3,制备结晶辅助剂;步骤4,制备铜基卤化物前驱体溶液;步骤5,混合结晶辅助剂和铜基卤化物前驱体溶液;步骤6,制备铜基卤化物发光二极管器件。本发明可以显著提高发光二极管器件空穴注入能力,促进电荷平衡,大幅提升器件亮度和外量子效率;硫氰酸根和Cu离子相互作用,提高铜基卤化物结晶质量,从而提高薄膜均匀性;同时硫氰酸根可以提高铜基卤化物中卤素空位的形成能,从而钝化卤素空位缺陷,抑制卤素离子的迁移。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种青果绿茶速溶饮料及其制备方法
当前第 / 件
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