发明专利已授权

基于银类纳米线的高透屏蔽薄膜的制备方法

📄 申请号：CN201911163372.5 📄 发布日：2025/12/18

著录项目信息

申请日

2019-11-25

公开号

CN110752066A

公开日

2020-02-04

申请人

四川浩宇华东科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01B13_00

IPC 分类号

H01B13_00 , H01B5_14 , H05K9_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料透明导电薄膜电磁屏蔽材料

应用场景

电磁屏蔽, 触摸屏, 柔性电子, 显示器件, 透明电极

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摘要

本发明公开了一种基于银类纳米线的高透屏蔽薄膜的制备方法，包括：制备硫化银-银复合结构纳米线；采用朗格缪尔-布吉特技术制备得到具有多层银类纳米线的组装体薄膜；配制改性石墨烯分散液，将具有多层银类纳米线的组装体薄膜浸泡在改性石墨烯溶液中，加入缩合剂，超声，经洗涤、干燥，得到高透屏蔽薄膜。本发明采用银纳米线、碲化银纳米线和硫化银-银复合结构纳米线的多层组合进行制备组装体薄膜，并通过改性石墨烯进行缩合改性，制备的高透屏蔽薄的方阻低，屏蔽效果较好，且透光率极更优。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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