发明专利已授权

基于双ELC非对称耦合结构的四谐振太赫兹波段超材料

📄 申请号：CN201610659130.5 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2016-08-12

公开号

CN106099381B

公开日

2019-02-05

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01Q15_00

IPC 分类号

H01Q15_00

技术画像

所属领域

电磁超材料电磁超材料太赫兹器件谐振结构设计

应用场景

太赫兹通信, 太赫兹成像, 太赫兹传感器, 太赫兹滤波器, 太赫兹吸收体

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摘要

基于双ELC非对称耦合结构的四谐振太赫兹波段超材料，属于电磁波全矢量传输调控器件技术领域，本发明包括衬底介质基片和设置于衬底介质基片表面的金属结构层，所述金属结构层上周期性排列有M*N个结构相同的谐振单元，M和N为自然数且M≥2，N≥2，其特征在于，每个谐振单元由两个开口和金属臂长度均不同的谐振器结合构成，谐振器依据下述条件确定：在单个谐振器仿真状态下，第一个谐振器具有三个谐振峰，第二个谐振器具有两个谐振峰；在两个谐振器结合的状态下，谐振单元具有四个谐振峰；所述谐振峰为透过率低于‑15dB的信号峰。本发明利用微纳制造技术加工，相对于利用离子刻蚀、电光晶体等结构实现太赫兹反射式极化器，本发明结构简单、体积小、加工成本低、可控精度高。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于Z型超表面的太赫兹反射式极化转换器

当前第 / 件

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