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发明专利
已授权
一种基于矢量合成的片上有源移相器
📄 申请号:CN201510591781.0
📄 发布日:2025/12/10
著录项目信息
申请日
2015-09-16
公开号
CN105207644B
公开日
2018-08-21
申请人
电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H03H11_16
IPC 分类号
H03H11_16
技术画像
所属领域
移相器
移相器
射频集成电路
微波电路
应用场景
相控阵雷达, 5G通信, 卫星通信, 波束赋形, 无线通信系统
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摘要
本发明涉及有源移相器,提供一种基于矢量合成技术的片上有源移相器,用于解决片上有源移相器功耗高、相位误差和幅度误差大的问题。本发明包括功率分配单元、正交信号产生单元、两个差分信号产生单元、信号合成单元及输出巴伦,单端输入信号输入功率分配单元的输入端,功率分配单元将输入信号分为两路同相信号输出到正交信号产生单元,正交信号产生单元产生一组正交信号分别输入两个差分信号产生单元,每个差分信号产生单元产生一组差分信号输入信号合成单元,信号合成单元将两组差分信号合成为一组差分信号输入输出巴伦。本发明提供有源移相器结构简单,在保证电路功耗低、相位精度高的情况下有效提高信号功率增益,适合大规模推广应用。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20180821
✅ 授权
20160127
?? 实质审查的生效 :
20151230
📄 公开
基于噪声抵消结构的低噪声放大器
当前第 / 件
一种CMOS毫米波有源准环形器
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覆盖
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📋 交易方式:
委托待转让
📌 交易状态:
在售
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📋 项目申报:
未申报
资金托管
权属尽调
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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司
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