发明专利已授权

一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜及其制备方法和太阳能电池

📄 申请号：CN202411059376.X 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2024-08-03

公开号

CN118600400B

公开日

2024-11-22

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C18_12

IPC 分类号

C23C18_12 , H10K99_00 , H10K30_40 , H10K30_50 , H10K71_00 ,

技术画像

所属领域

薄膜太阳能电池薄膜太阳能电池半导体材料光伏材料

应用场景

太阳能电池, 光伏发电, 可再生能源

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摘要

本发明涉及半导体光伏材料与器件技术领域，尤其涉及一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜及其制备方法和太阳能电池。包括：S1、将酒石酸锑钾与硫源混合反应得到Sb2S3前驱液；S2、采用化学水浴法沉积Sb2S3薄膜至预设厚度后，将Se源通过蠕动泵泵入Sb2S3前驱液内，并调控沉积薄膜的S‑Se元素梯度分布，得到Sb2(S,Se)3前驱膜；S3、将Sb2(S,Se)3前驱膜进行退火处理，得到表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜。本发明通过微流蠕动泵辅助化学水浴法合成了表面均匀致密，体相缺陷少的表面富硒梯度组分Sb2(S,Se)3薄膜，可提高太阳能电池的光电转换效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种异形光斑光栅衍射系统

当前第 / 件

一种利用中低品位磷矿粉制备黄磷生产用磷矿球团的方法

同领域国内专利 · IPC: (C23C18_12)

C23C18_00 C23C18_04 C23C18_08 C23C18_12 C23C18_14 C23C18_16 C23C18_18 C23C18_20 C23C18_22 C23C18_24 C23C18_30 C23C18_32 C23C18_34 C23C18_36 C23C18_38 C23C18_40 C23C18_42 C23C18_44 C23C18_48 C23C18_50 C23C18_52 覆盖21个领域

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