发明专利 已授权

一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜及其制备方法和太阳能电池

📄 申请号:CN202411059376.X 📄 发布日:2026/09/28

著录项目信息

申请日
2024-08-03
公开号
CN118600400B
公开日
2024-11-22
申请人
武汉工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

太阳能电池, 光伏发电, 可再生能源

摘要

本发明涉及半导体光伏材料与器件技术领域,尤其涉及一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜及其制备方法和太阳能电池。包括:S1、将酒石酸锑钾与硫源混合反应得到Sb2S3前驱液;S2、采用化学水浴法沉积Sb2S3薄膜至预设厚度后,将Se源通过蠕动泵泵入Sb2S3前驱液内,并调控沉积薄膜的S‑Se元素梯度分布,得到Sb2(S,Se)3前驱膜;S3、将Sb2(S,Se)3前驱膜进行退火处理,得到表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜。本发明通过微流蠕动泵辅助化学水浴法合成了表面均匀致密,体相缺陷少的表面富硒梯度组分Sb2(S,Se)3薄膜,可提高太阳能电池的光电转换效率。

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