发明专利已授权

一种低剖面双向端射圆极化天线阵列及其调节方法

📄 申请号：CN202510241716.9 📄 发布日：2026/08/18

著录项目信息

申请日

2025-03-03

公开号

CN119726161A

公开日

2025-03-28

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01Q21_24

IPC 分类号

H01Q21_24 , H01Q21_00 , H01Q9_16 , H01Q1_00 , H01Q1_24 , H01Q1_52 , G06F30_20 , G06F17_10 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

无线通信, 卫星通信, 雷达系统, 电子对抗, 航空航天

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摘要

本发明公开了一种低剖面双向端射圆极化天线阵列及其调节方法，所述天线阵列包括八个子阵列、单层F4B介质基板以及一分十六射频电路，八个子阵列分为左四个子阵列和右四个子阵列以中心对称方式排列在单层F4B介质基板上，每个子阵列包括馈电金属柱、短路金属柱、磁偶极子以及电偶极子，所述调节方法包括引入极化约束条件，构建模型，对双向端射方向的电场分量进行约束，形成圆极化波，根据最优激励分布对每个天线阵列元素的激励进行精确调节。本发明不仅解决了接收终端在不同旋向圆极化波间移动时的极化失配问题，灵活实现双向左旋圆极化辐射，而且克服了传统单个电磁偶极子端射圆极化增益低的缺陷，实现双向端射增益超过11.5 dBic。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250527

✅ 授权

20250415

?? 实质审查的生效：

20250328

📄 公开

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