发明专利 已授权

一种四相双逾渗电磁屏蔽材料及其制备方法

📄 申请号:CN201810236261.1 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2018-03-21
公开号
CN108384177B
公开日
2020-06-23
申请人
成都工业学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

电子设备电磁防护, 通信设备, 航空航天, 精密仪器, 5G基站

摘要

本发明公开了一种电磁屏蔽材料,它包括重量份数比的以下成分制成:ABS 35~45份、PA66 45~55份、镀银碳纤维2~18份、EG 2~18份、增塑剂0.5~1份、增溶剂2~4份、抗氧剂0.5~1份。本发明电磁屏蔽材料突破传统的熔融共混工艺,设计制备双逾渗结构的工艺参数、加工顺序、挤出工艺,极大地降低CF的逾渗阀值。此方法生产效率高,操作简单,且能极大地降低材料成本,利于大批量工业化生产。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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C08L55_02 覆盖1个领域

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