发明专利已授权

一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法

📄 申请号：CN201810489873.1 📄 发布日：2026/07/31

著录项目信息

申请日

2018-05-21

公开号

CN108716006B

公开日

2020-02-07

申请人

储东国

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C25B1_04

IPC 分类号

C25B1_04 , C25B11_06 ,

技术画像

所属领域

四氧化三钴光电催化材料半导体敏化光电阴极四氧化三钴

应用场景

光电催化分解水制氢, 光电探测, 光电极, 光能转换器件

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摘要

本发明公开了一种硒化镉敏化的四氧化三钴光电阴极的制备方法，属于材料科学技术领域和光电催化制氢领域。本发明先通过简单的离子层吸附的方法，将硒化镉负载在氧化铟锡基底上，然后再通过光辅助电沉积的方法沉积助催化剂二硫化钼，从而制备出这种高效的复合光电阴极。本方法制备的硒化镉敏化的复合光电阴极制备方法简便、稳定性好、价格低廉，应用于工业生产中可大幅度节约成本，是一种有较大工业光电催化产氢前景的新型催化材料。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250617

?? 专利权的转移：

20240920

?? 专利权的转移：

20211008

?? 专利权的转移：

20200207

✅ 授权

20181123

?? 实质审查的生效：

20181030

📄 公开

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