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摘 要:本发明公开了一种低填料含量场敏感型非线性导电复合材料薄膜及其制备方法,本发明以具有高长径比的SiC纳米线为填料,二胺和二酐为单体,制备SiC纳米线/聚酰亚胺复合材料薄膜,且SiC纳米线在复合材料中的体积分数仅为1%‑3%。本方法工艺简单,适合大量制备,所制得的低填充比复合材料薄膜具有良好的非线性电导特性,电导率可以自发随电场强度变化而调控,同时对聚酰亚胺基体的力学性能没有劣化影响,可作为深层介质充电防护材料用于航天器等领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110186288.6 | 专利名称: | 一种低填料含量场敏感型非线性导电复合材料薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2021-02-17 | 申请/专利权人 | 中南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖南省长沙市岳麓山左家垅 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C08J5/18搜分类 复合材料搜索 |
公开/公告日: | 2021-11-16 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112961383B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |