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摘 要:本发明公开一种高线性度TRIAC调光兼容LED驱动电路,采用氮化镓基高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)及其驱动电路替代传统硅基MOSFET,实现MHz高频工作环境。频率的大幅度提高能够减小滤波电容、电感的值,可大幅减小线路中的冲击电流和电流振荡,提升TRIAC调光兼容性。采用芯片FB管脚电压线性调节技术和电压补偿技术,实现了LED调光过程中的高线性度。另外,MCU智能控制模块被用来检测导通角,为芯片FB管脚提供补偿信号,同时控制假负载的断开,在保证导通电流大于TRIAC启动点火电流的条件下,有效降低假负载接入带来的损耗。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110188945.0 | 专利名称: | 一种高线性度TRIAC调光兼容LED驱动电路 |
申请日: | 2021-02-19 | 申请/专利权人 | 南京工业职业技术大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市秦淮区中山东路532-2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H05B45/375搜分类 电路板搜索 |
公开/公告日: | 2022-10-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112867207B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |