基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器及其制备方法

著 录 项 目：

摘     要：本发明公开了基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层，活性层上设有金属电极，活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，该纳米复合材料以二硫化钼为多体，另一种半导体材料的纯度大于90%。本发明还公开了上述电存储器的制备方法。本发明通过将二硫化钼与另一种半导体材料掺杂得到的纳米复合材料作为活性层，得到Flash型存储器件，且存储器件的性能有所提高。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注

• 申请号	专利名称	发布日期
  2016107940924	【发明】一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法	2025/08/26
  201511030291X	【发明】用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料及薄膜制备方法	2025/08/26
  2016107888465	【发明】氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法	2025/08/26
  2017107673843	【发明】一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法	2025/08/26
  2017112952697	【发明】一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法	2025/08/26
  2017107553409	【发明】一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法	2025/08/26
  2015103173134	【发明】用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法	2025/08/26
  2015100677007	【发明】用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法	2025/08/26
  2016106203738	【发明】稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法	2025/08/26
  2016108891713	【发明】一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用	2025/08/26