发明专利已授权

一种聚吡咯原位插层石墨抗静电塑料及其制备方法

Name: 一种聚吡咯原位插层石墨抗静电塑料及其制备方法
Brand: 广州大学
SKU: 2019100725418
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910072541.8 📄 发布日：2026/10/08

著录项目信息

申请日

2019-01-25

公开号

CN109762328B

公开日

2021-05-25

申请人

广州大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C08L77_02

IPC 分类号

C08L77_02 , C08L23_12 , C08L51_06 , C08L79_04 , C08K9_02 , C08K9_04 , C08K7_24 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

电子元器件包装, 精密仪器防护, 半导体制造车间, 防静电地板, 防静电周转箱

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摘要

本发明公开了一种聚吡咯原位插层石墨抗静电塑料及其制备方法，按重量份计，所述塑料包括以下组分：1～10份膨胀石墨、1～5份吡咯、0.5～3份表面活性剂、1～5份掺杂剂、0.5～3份过硫酸铵、70～95份主体塑料、0.5～3份相容剂。本发明先利用吡咯单体通过分子作用力插入到改性后的石墨层间中，然后用过硫酸铵使吡咯在石墨层中聚合，制备出聚吡咯/石墨材料。本发明的制备方法不仅使导电性能增强，而且使聚吡咯在石墨层中分散均匀，在力学性能上突显出优异性能。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210525

✅ 授权

20190611

?? 实质审查的生效：

20190517

📄 公开

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