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摘 要:本发明公开了一种聚吡咯原位插层石墨抗静电塑料及其制备方法,按重量份计,所述塑料包括以下组分:1~10份膨胀石墨、1~5份吡咯、0.5~3份表面活性剂、1~5份掺杂剂、0.5~3份过硫酸铵、70~95份主体塑料、0.5~3份相容剂。本发明先利用吡咯单体通过分子作用力插入到改性后的石墨层间中,然后用过硫酸铵使吡咯在石墨层中聚合,制备出聚吡咯/石墨材料。本发明的制备方法不仅使导电性能增强,而且使聚吡咯在石墨层中分散均匀,在力学性能上突显出优异性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910072541.8 | 专利名称: | 一种聚吡咯原位插层石墨抗静电塑料及其制备方法 |
申请日: | 2019-01-25 | 申请/专利权人 | 广州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市大学城外环西路230号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C08L77/02搜分类 高分子材料搜索 |
公开/公告日: | 2021-05-25 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109762328B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |