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摘 要:本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法,将生长有四氧化三钴阵列的基底,于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化,获得硫化钴纳米针阵列电极;将氯化钼溶于挥发非水溶剂,并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面,干燥待用;再将步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中,经第二次硫化,随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810195135.6 | 专利名称: | 一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法 |
申请日: | 2018-03-09 | 申请/专利权人 | 三峡大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省宜昌市大学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/06搜分类 燃料电池 锌空电池 金属空气电池 能量存储 转换材料 电极材料 清洁能源 电催化氧还原 氧析出反应 分解水产氢气搜索 |
公开/公告日: | 2020-06-23 | 转让价格: | 10900.0元 |
公开/公告号: | CN108396330B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |