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摘 要:本发明涉及磁性材料技术领域,尤其涉及一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法。一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料,化学式为[Dy2(HL)2]·2CH3OH·CH3CN,其中HL为失去三个质子的2,9‑二邻羟基苯酰腙邻菲罗啉。本发明所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料晶体属于三斜晶系,P‑1空间群,晶胞参数为a=12.3932(6)Å,b=15.0551(10)Å,c=15.5316(10)Å,α=91.075(3)°,β=100.739(2)°,γ=111.8726(19)°,V=2629.8(3)Å3。本发明所述基于双酰腙的镝单分子磁体材料具有单分子磁体特性,且制备方法简单、方便,产率高,重现性好,成本低,有望用于新型的磁存储材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202310018251.1 | 专利名称: | 一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法 |
申请日: | 2023-01-06 | 申请/专利权人 | 南京科技职业学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市江北新区欣乐路188号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C07F5/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2024-08-16 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN115772181B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |