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摘 要:本发明公开了一种基于激光直写钼片制备碳化钼纳米微阵列的方法,将构建微纳米阵列结构与合成碳化钼材料相结合,通过激光直写一步法制备具有三维微纳米阵列结构的碳化钼材料。本发明基于激光与钼片的烧蚀作用,制备出三维的微纳米阵列结构,同时与碳源发生反应合成碳化钼,一步法制备碳化钼纳米微阵列材料,避免了传统的微纳米阵列制备中的复杂操作步骤和光刻胶等有毒试剂的使用,降低了制备工艺的复杂性同时增加了实验安全性。本方法可以任意设计碳化钼纳米微阵列的外部形貌和阵列排布,所得碳化钼纳米微阵列形状可控,尺寸精度高,用于电催化产氢反应,在酸性、中性、碱性溶液中均具有优良的电催化产氢活性和稳定性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110398615.4 | 专利名称: | 一种基于激光直写钼片制备碳化钼纳米微阵列的方法 |
申请日: | 2021-04-12 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/075搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2022-07-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113136596B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |