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摘 要:本发明涉及一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法,属于纳米多孔金属薄膜材料的制备技术领域。本发明的铜基纳米多孔薄膜,呈多层结构,单层厚度200‑400nm(约为250 nm),中间层多孔孔径约为10‑25nm,最外两层的多孔孔径为175‑290 nm。上述铜基纳米多孔薄膜,是以各元素原子百分含量为:镁60‑30%、铜35–45%、钕25–5%的镁‑铜‑钕非晶合金为前驱体,通过化学脱合金法脱除镁、钕而成。其完整性强、纳米孔均匀连通并且尺寸可控、具有较高的比表面积、化学性质稳定的纯净的呈多层结构且层与层之间容易剥离。本发明的制备方法:工艺简单、绿色无污染、成本低廉、生产效率高,适合批量化生产。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610145387.9 | 专利名称: | 一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2016-03-15 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C22C3/00搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2018-01-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105734335B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |