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摘 要:本发明属于半导体器件技术领域,涉及一种半导体一维纳米材料的制备方法,具体涉及一种制备锗纳米线的方法。本发明基于等离子体化学气相沉积反应器制备了双层结构薄膜,在氢气等离子体中引入锗烷等离子体,在制备锗纳米线前沉积了一层氢化非晶锗薄膜,并在催化剂颗粒下预镀氢化非晶硅薄膜以防止锗基薄膜被氧化。本发明通过射频等离子化学气相沉积技术,优选以二氧化锡颗粒为催化剂,以锗基薄膜为纳米线生长材料,实现了在低温条件下大规模地制备锗纳米线,制备方法简单且高效,实用性强。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201911313015.2 | 专利名称: | 一种制备锗纳米线的方法 |
申请日: | 2019-12-18 | 申请/专利权人 | 宁波大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省宁波市江北区风华路818号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B22F9/28搜分类 米线搜索 |
公开/公告日: | 2022-09-27 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111112642B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |