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| 专利/申请号： | CN201911313015.2 | 专利名称： | 一种制备锗纳米线的方法 |
| 申请日： | 2019-12-18 | 申请/专利权人 | 宁波大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省宁波市江北区风华路818号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | B22F9/28 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-09-27 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN111112642B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 37 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种半导体一维纳米材料的制备方法，具体涉及一种制备锗纳米线的方法。本发明基于等离子体化学气相沉积反应器制备了双层结构薄膜，在氢气等离子体中引入锗烷等离子体，在制备锗纳米线前沉积了一层氢化非晶锗薄膜，并在催化剂颗粒下预镀氢化非晶硅薄膜以防止锗基薄膜被氧化。本发明通过射频等离子化学气相沉积技术，优选以二氧化锡颗粒为催化剂，以锗基薄膜为纳米线生长材料，实现了在低温条件下大规模地制备锗纳米线，制备方法简单且高效，实用性强。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/09/27 | 授权 | |
| 2020/06/09 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): B22F 9/28 专利申请号: 201911313015.2 申请日: 2019.12.18 |
| 2020/05/08 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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