发明专利已授权

一种制备锗纳米线的方法

📄 申请号：CN201911313015.2 📄 发布日：2026/08/03

著录项目信息

申请日

2019-12-18

公开号

CN111112642B

公开日

2022-09-27

申请人

宁波大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B22F9_28

IPC 分类号

B22F9_28 , B22F9_30 , C23C16_02 , C23C16_06 , C23C16_505 , C23C16_56 , B22F1_054 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料半导体材料纳米线

应用场景

光电探测, 红外探测, 热电转换, 锂离子电池, 半导体器件

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摘要

本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种半导体一维纳米材料的制备方法，具体涉及一种制备锗纳米线的方法。本发明基于等离子体化学气相沉积反应器制备了双层结构薄膜，在氢气等离子体中引入锗烷等离子体，在制备锗纳米线前沉积了一层氢化非晶锗薄膜，并在催化剂颗粒下预镀氢化非晶硅薄膜以防止锗基薄膜被氧化。本发明通过射频等离子化学气相沉积技术，优选以二氧化锡颗粒为催化剂，以锗基薄膜为纳米线生长材料，实现了在低温条件下大规模地制备锗纳米线，制备方法简单且高效，实用性强。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220927

✅ 授权

20200609

?? 实质审查的生效：

20200508

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：13 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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