发明专利 已授权

一种制备锗纳米线的方法

📄 申请号:CN201911313015.2 📄 发布日:2026/08/03

著录项目信息

申请日
2019-12-18
公开号
CN111112642B
公开日
2022-09-27
申请人
宁波大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

光电探测, 红外探测, 热电转换, 锂离子电池, 半导体器件

摘要

本发明属于半导体器件技术领域,涉及一种半导体一维纳米材料的制备方法,具体涉及一种制备锗纳米线的方法。本发明基于等离子体化学气相沉积反应器制备了双层结构薄膜,在氢气等离子体中引入锗烷等离子体,在制备锗纳米线前沉积了一层氢化非晶锗薄膜,并在催化剂颗粒下预镀氢化非晶硅薄膜以防止锗基薄膜被氧化。本发明通过射频等离子化学气相沉积技术,优选以二氧化锡颗粒为催化剂,以锗基薄膜为纳米线生长材料,实现了在低温条件下大规模地制备锗纳米线,制备方法简单且高效,实用性强。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20220927
✅ 授权
20200609
?? 实质审查的生效 :
20200508
📄 公开
议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:57 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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