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摘 要:本实用新型涉及一种MOS管栅极保护结构,其中,所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块,所述的电感的一端接触发信号,电感的另一端与MOS管的栅极相连接,所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接,通过串接电感,避免高温下电路中的毛刺信号对MOS管进行误触发,并在电路中设置感应电动势吸收模块,对电感产生的感应电动势进行吸收,进一步避免误触发。采用本实用新型涉的MOS管栅极保护结构,具有结构简单,性能好的特点,能够很好地提高电路的稳定性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201920859795.X | 专利名称: | MOS管栅极保护结构 |
申请日: | 2019-06-10 | 申请/专利权人 | 上海市共进通信技术有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 上海市徐汇区虹梅路1905号远中科研楼7楼 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H03K17/14搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2019-12-03 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN209731202U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |