发明专利已授权

一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法

📄 申请号：CN202211110322.2 📄 发布日：2025/12/18

著录项目信息

申请日

2022-09-13

公开号

CN115440510A

公开日

2022-12-06

申请人

深圳泓瑞知识产权服务有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01G11_86

IPC 分类号

H01G11_86 , H01G11_26 , H01G11_30 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

电池材料电池材料电极材料电化学储能材料

应用场景

电化学储能, 储能系统, 新能源汽车, 消费电子, 超级电容器

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摘要

本发明公开了一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法。首先采用活化溶液对含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行浸泡处理，得到一种由纳米线阵列和纳米片共同构成的复合结构，其中纳米片均匀填充在纳米线与纳米线之间或覆盖在纳米线阵列表面。然后对活化样品进行P掺杂处理，得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价，发现在10 mA/cm2电流密度下，未经任何处理的钴基氢氧化物容量仅为1.36 F/cm2，活化后容量达到3.68 F/cm2，进一步P掺杂处理后最大容量可达5.46F/cm2；同时，直接对未活化的含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行相同条件的P掺杂处理，其容量仅为2.88F/cm2，说明在浸泡活化及P掺杂的协同作用下，才能获得最大的比电容。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20241129

?? 专利权的转移：

20230801

✅ 授权

20221223

?? 实质审查的生效：

20221206

📄 公开

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