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摘 要:本发明公开了一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法。首先采用活化溶液对含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行浸泡处理,得到一种由纳米线阵列和纳米片共同构成的复合结构,其中纳米片均匀填充在纳米线与纳米线之间或覆盖在纳米线阵列表面。然后对活化样品进行P掺杂处理,得到最终产物。在1M KOH电解液中对电极进行电化学性能评价,发现在10 mA/cm2电流密度下,未经任何处理的钴基氢氧化物容量仅为1.36 F/cm2,活化后容量达到3.68 F/cm2,进一步P掺杂处理后最大容量可达5.46F/cm2;同时,直接对未活化的含嵌入阴离子的钴基氢氧化物进行相同条件的P掺杂处理,其容量仅为2.88F/cm2,说明在浸泡活化及P掺杂的协同作用下,才能获得最大的比电容。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202211110322.2 | 专利名称: | 一种提升含嵌入阴离子的钴基氢氧化物容量的方法 |
申请日: | 2022-09-13 | 申请/专利权人 | 三峡大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省宜昌市西陵区大学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01G11/86搜分类 超级电容器 储能电容器 电子元件 电极材料搜索 |
公开/公告日: | 2022-12-06 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN115440510A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |