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摘 要:本发明公开了Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用。本发明我们以商业化的纳米硅粒子为研究体系,采用光敏化聚合苯乙烯~硅纳米离子乳液、高温煅烧热处理与水热相结合的方式控制合成核壳结构Si@void@C嵌入三维多孔碳网的复合材料。通过紫外光照射聚合苯乙烯,形成聚苯乙烯,高温热解形成碳源,合成工艺简单、绿色,苯乙烯单体价格低廉。本发明避免了以往核壳结构Si@void@C研究工作中涉及的繁复模板引入及其腐蚀性HF对环境的破坏,有效地提升了Si纳米粉体的循环比容量与稳定性,降低了材料成本,有望实现商业化大规模生产。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011635587.5 | 专利名称: | Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用 |
申请日: | 2020-12-31 | 申请/专利权人 | 齐鲁工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市长清大学路3501号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01M4/38搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2021-11-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112820870B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |