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| 专利/申请号： | CN202011635587.5 | 专利名称： | Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用 |
| 申请日： | 2020-12-31 | 申请/专利权人 | 齐鲁工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 山东省济南市长清大学路3501号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01M4/38 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-11-23 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112820870B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 54 | 所属领域： | 其他专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用。本发明我们以商业化的纳米硅粒子为研究体系，采用光敏化聚合苯乙烯~硅纳米离子乳液、高温煅烧热处理与水热相结合的方式控制合成核壳结构Si@void@C嵌入三维多孔碳网的复合材料。通过紫外光照射聚合苯乙烯，形成聚苯乙烯，高温热解形成碳源，合成工艺简单、绿色，苯乙烯单体价格低廉。本发明避免了以往核壳结构Si@void@C研究工作中涉及的繁复模板引入及其腐蚀性HF对环境的破坏，有效地提升了Si纳米粉体的循环比容量与稳定性，降低了材料成本，有望实现商业化大规模生产。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2024/10/15 | 专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更 | 专利权人由齐鲁工业大学变更为齐鲁工业大学（山东省科学院） 国家或地区由中国变更为中国 地址由250000 山东省济南市长清大学路3501号变更为250000 山东省济南市长清大学路3501号 |
| 2021/11/23 | 授权 | |
| 2021/06/04 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01M 4/38 专利申请号: 202011635587.5 申请日: 2020.12.31 |
| 2021/05/18 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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