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摘 要:本发明提供一种Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结及其制备方法和应用,所述异质结包括暴露(010)晶面的十面体状单斜相m‑BiVO4和由十面体状单斜相m‑BiVO4的(110)晶面相变得到的四方相t‑BiVO4,以及负载在四方相t‑BiVO4上的颗粒状Cs0.32WO3,十面体状单斜相m‑BiVO4与四方相t‑BiVO4形成Z型异质结;四方相t‑BiVO4与颗粒状Cs0.32WO3形成Z型异质结。本发明Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4双Z型异质结在紫外‑可见光‑近红外光全光谱下具有增强的氧化还原能力,并且光热协同效应增强了异质结光催化活性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202211064467.3 | 专利名称: | 一种Cs0.32WO3/(m-t)-BiVO4异质结及其制备方法和应用 |
申请日: | 2022-08-31 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G41/00搜分类 半导体材料 光催化材料搜索 |
公开/公告日: | 2023-04-07 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN115924973A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |